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CO2 可用于支持先進的浸沒光刻，專用低溫清洗應(yīng)用以及DI(去離子水)處理。

He是第二輕的元素和最冷的液體，用于電子制造中的冷卻，等離子處理和泄漏檢驗。

由于更大的工廠和更高的工藝強度需求，H?的使用量正在增加。它用于硅和硅鍺的外延沉積和表面處理。隨著EUV（極紫外線）的轉(zhuǎn)變，氫氣的需求量將繼續(xù)增長。

O?用于在蝕刻中產(chǎn)生氧化物層。現(xiàn)場可提供雜質(zhì)少于10ppb的超純液態(tài)氧（LOX）且無需外部凈化器。

N?是目前半導(dǎo)體制造中使用最多的氣體。它用于吹掃真空泵，排放系統(tǒng)，還可以用來做為一種工藝氣體。在大型的，先進的工廠，氮氣的消耗量可達每小時5萬立方米，這使得工廠需要成本效益好，低能耗的現(xiàn)場氮氣發(fā)生器。